----



Автор(ы):Шубников А.В.
Издание:Издательство Академии наук СССР, Москва-Ленинград, 1947 г., 74 стр.
Язык(и)Русский
Образование кристаллов

Оглавление:
Введение.
Основные свойства кристаллов.
Естественные формы кристаллов.
Постоянство углов кристаллических многогранников.
Симметрия кристаллических многогранников.
Самозарождение и рост кристаллов.
Постоянство температуры плавления кристаллов.
Спайность.

ТематикаКристаллография
Автор(ы):Леммлейн Г.Г.
Издание:Наука, Москва, 1973 г., 167 стр.
Язык(и)Русский
Морфология и генезис кристаллов

В книге крупнейшего советского кристаллографа Г. Г. Леммлейна рассматриваются проблемы образования кристаллов, их дефектной структуры и связанных с нею свойств. В частности, анализируется как морфология поверхности выросших кристаллов, так и кинетика послойного роста и испарения кристаллов. Ряд работ автора, приведенных в монографии, посвящен образованию включений в растущих кристаллах и их дальнейшему преобразованию под действием поверхности энергии и изменения внешних условий. В связи с задачами геологической термометрии по включениям в минералах исследуются диаграммы состояния минералообразующих растворов при различных степенях заполнения.

Морфология распределения примесной дефектности обсуждается в связи с условиями генезиса минералов. Подробно рассматривается проблема примесной окраски кварца.

Книга интересна для физиков, химиков, минералогов, геологов и инженеров, изучающих проблемы образования и свойства кристаллов. 

ТематикаКристаллография
Том 3
Автор(ы):Багдасаров Х.С., Гиваргизов Е.И., Демьянец Л.Н., Кузнецов В.А., Лабочев А.Н., Чернов А.А.
Издание:Наука, Москва, 1980 г., 401 стр., УДК: 548.5
Язык(и)Русский
Современная кристаллография. Том 3. Образование кристаллов

Предлагаемый читателю третий том «Современной кристаллографии» посвящен научным и практическим вопросам образования кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетика послойного и нормального роста; морфология поверхностей; влияние примесей на процессы роста и захват примесей; устойчивость фронта кристаллизации; образование дефолтов при кристаллизации — захват включении, образование дислокаций и остаточных напряжений; массовая кристаллизация и созревание в дисперсных кристаллических системах.
Во второй части книги систематически изложены основы всех методов выращивания кристаллов, получивших достаточно широкое распространение в промышленной и лабораторной практике: отдельно рассмотрены физические и химические методы выращивания из газовой фазы, методы выращивания из низкотемпературных водных растворов, из гидротермальных растворов, из растворов в высокотемпературных расплавах, методы выращивания из расплавов, в том числе при высоких температурах. Описаниям всех методов предпослан анализ их физико-химических основ. Для каждого из методов приведены характерные примеры его применения, разобраны важнейшие характеристики кристаллов, связанные с условиями их получения, диагностика дефектов в кристаллах п некоторые пути управления ростом и реальной структурой кристаллов. Изложены основные принципы выбора подходящей методики для практического выращивания кристаллов с теми или иными свойствами. Книга имеет целью вооружить читателя методическими основами анализа процессов кристаллизации и практического выращивания кристаллов. Изложение требует знакомства читателя с основами физики и химии в объеме начального вузовского курса и не предполагает знакомства с литературой по образованию кристаллов. Вместе с тем значительная часть материала представляет интерес также для специалистов в области образования кристаллов.

Ленты новостей
2120.73