Автор(ы):Белов Н.В.
Издание:Издательство Академии наук СССР, Москва, 1951 г., 87 стр.
Язык(и)Русский
Структурная кристаллография

Классическое определение кристалла гласит, что это есть однородное анизотропное тело. Однородное означает, что свойства кристалла одинаковы во всех его точках. С того времени, как атомистическое — из дискретных частиц — строение вещества перестало быть гипотезой, определение кристалла, кристаллического вещества нуждается в исправлении. Кристалл не может иметь одинаковых свойств в тех точках, в которых расположены атомы одного сорта, и в тех его точках, где расположены атомы другого сорта, и, наконец, в тех точках, где атомов нет вовсе. В конкретной хорошо всем известной структуре хлористого натрия свойства кристалла в той точке, где находится атом Na, несомненно отличны от свойств того же кристалла в тех точках, где расположены атомы CI, и точно так же свойства этого кристалла в точке, разделяющей ближайшее расстояние между Na и Cl в отношении 1:3, совершенно отличны от свойств точки, делящей это расстояние в отношении 1: 80, и от бесчисленного множества других точек.

Определением, учитывающим дискретное строение кристалла из частиц одного или разных сортов и в то же время достаточно близким к классическому, будет следующее. <...>

ТематикаКристаллография
Издание 2
Автор(ы):Порай-Кошиц М.А.
Издание:Высшая Школа, Москва, 1989 г., 192 стр., УДК: 543, ISBN: 5-06-000074-5
Язык(и)Русский
Основы структурного анализа химических соединений

Рассматриваются вопросы структурной кристаллографии и теории дифракции рентгеновского излучения, методы решения проблемы «начальных фаз», наиболее существенные приложения структурных исследований в химии. Сравниваются возможности трех дифракционных методов: рентгеновского, нейтронографического и электронографического, Во втором издании расширены ключевые разделы современного реитгеноструктуриого анализа: кинематические схемы дифрактомеров, основы статистического определения начальных фаз (знаков) структурных амплитуд, распределение электронной плотности в межъядерном пространстве по прецизионным данным.

Предназначается для студентов химических специальностей университетов

Автор(ы):Арисова В.Н., Слаутин О.В.
Издание:ВолГТУ, Волгоград, 2007 г., 94 стр., УДК: 548.4
Язык(и)Русский
Элементы структурной кристаллографии. Учебное пособие

Рассмотрены теоретические вопросы структурной кристаллографии: параметры и типы пространственных решеток кристаллических материалов, кристаллографические индексы плоскостей и направлений, построение их проекций, элементы симметрии континуума и дисконтинуума.

Предназначено для студентов специальности 121000 (150502) «Конструирование и производство изделий из композиционных материалов» при изучении дисциплины «Структура и свойства композиционных материалов»

Автор(ы):Звягин Б.Б.
Редактор(ы):Пинскер З.Г.
Издание:Наука, Москва, 1964 г., 282 стр., УДК: 548.47+549.63
Язык(и)Русский
Электронография и структурная кристаллография глинистых минералов

Во многих отраслях народного хозяйства, науки и техники используются глинистые минералы. Хорошо известны достоинства глин, как катализаторов и адсорбентов, наполнителей и красителей, вяжущих и моющих средств. Значительна пх роль как сырья в производстве цемента и керамики, важнейшего фактора плодородия почв и прочности грунтов, индикатора условий образования осадочных горных пород и войскового признака для некоторых видов полезных ископаемых (Grim, 1960).

Во всех отношениях наибольший практический эффект может быть достигнут при изучении кристаллических структур глинистых минералов. Таким образом, глины п глинистые минералы являются достойными объектами структурного анализа, и они в нем нуждаются  ввиду своего разнообразия и сложности строения.

Своеобразное и оригинальное освещение структур глинистых минералов и важные практические результаты может дать, основанный на дифракции электронов, метод электронографии, который в данной области исследования имеет своп особые возможности. В связи с этим электронография глинистых минералов является отдельной отраслью метода дифракции электронов и занимает самостоятельное место в комплексе методов изучения глин.

Применение дифракции электронов к исследованию глинистых минералов в Советском Союзе развивалось в благоприятных условиях.

Прежде всего этому содействовал чрезвычайно высокий уровень развития электронографии в нашей стране. Особенно значительную роль сыграли работы 3. Г. Пинскера (1949) и Б. К. Вайнштейна (1956), заложившие основы электронографического структурного анализа. Под пх влиянием сформировался своеобразный облик советской электронографии, для которой, в частности, характерно раскрытие и использование богатейшего содержания электронограмм от текстур, оснащение ее методами анализа Фурье. <...>

Том 1
Автор(ы):Вайнштейн Б.К.
Издание:Наука, Москва, 1979 г., 384 стр., УДК: 548.1
Язык(и)Русский
Современная кристаллография. Том 1. Симметрия кристаллов, методы структурной кристаллографии.

Настоящий том посвящен учению о симметрии кристаллов, которое является теоретической основой кристаллографии, и изложению методов анализа атомной структуры кристаллов.
Вначале вводятся основные понятия кристаллографии, рассматриваются общие характеристики кристаллического состояния вещества — макроскопические и микроскопические (определяемые решетчатым строением). Учение о симметрии излагается па основе теории групп. Анализируются точечные группы симметрии, группы стержней и слоев, пространственные группы. Рассматриваются обобщения симметрии: антисимметрия и цветная симметрия. Дается геометрическая теория описания конечного кристалла и кристаллической решетки.
Изложены физические принципы и основы математического аппарата структурного анализа кристаллов. Описаны методы изучения атомного строения   кристаллического   вещества:   рентгеноструктурный   анализ, электронография, нейтронография,  электронная микроскопия. Книга рассчитана на научных сотрудников, специалистов-практиков и производственников: кристаллографов, физиков, химиков, минералогов, инженеров, использующих методы и аппарат кристаллографии, а также студентов старших курсов и аспирантов.

Ленты новостей
9648.26