Книга представляет собой продолжение вышедшей в этом году в том же издательстве книги того же автора «Кристаллы». В «Кристаллах» речь шла в основном о росте кристаллов, природных и синтетических. В «Очерках о свойствах кристаллов» в простой и занимательной форме рассказывается о структуре кристаллов, об их симметрии и о влиянии структуры на физические свойства кристаллов — оптические,   электрические,   механические   и   другие.

Рассматриваются физические явления в кристаллах, их многообразные применения в науке и технике. Рассказывается о том, как знание структуры кристаллов позволяет создавать новые вещества с заранее заданными свойствами и как применение этих веществ приводит к появлению и развитию новых отраслей техники.

Книга  рассчитана   на  широкий   круг  читателей

Настоящий труд представляет собою новый метод кристаллографического диагноза вещества, т. е. новый метод определения неизвестного вещества посредством измерения его кристаллов гониометром. Метод академика Е. С. Федорова, названный им "Кристаллохимическим анализом" и опубликованный в 1919 г., в виду своей сложности получил очень ограниченное распространеиие. Новый метод проф. А. К. Болдырева, благодаря своей простоте, доступен не только кристаллографам, но и широким слоям химиков, минералогов, геологов, физиков и всех других специалистов, имеющих дело с кристаллическим веществом. На этот широкий круг советских специалистов и рассчитана эта книга.

Кроме своего значения как определителя, кристаллов, книга важна еще и потому, что является наиболее полным по количеству включенных веществ справочником об изученных кристаллических веществах и их главнейших свойствах (геометрических, механических, оптических, рентгенографических, физико-химических и др.

Первый том является „определителем кристаллов средних сингоний" и заключает в себе описания всех изученных ныне кристаллических веществ гексагональной, тригональной и тетрагональной сингоний

Монография посвящена геометрическим основам кристаллографии. Изложение базируется на четырех аксиомах: дискретности, покрытия, локального равенства, рациональности. Эти аксиомы физически достаточно очевидны, что помогает выяснить причины кристаллообразования. Все основные понятия кристаллографии (решетка, голоэдрия, сингония и т.д.) получают строгие определения, а основные положения представлены в виде теорем.

Книга рассчитана на специалистов и учащихся, интересующихся кристаллографией: математиков, физиков, химиков, минералогов

Книга о Борисе Константиновиче Вайнштейне, выдающемсяк ристаллографе, академике АН СССР, директоре Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН с 1962 по 1996 годы. В книге представлена биографияуч еного, воспоминания друзей и коллег, избранные научные труды.

Дляши рокого круга специалистов в области физического материаловедения, кристаллографии и физики кристаллов, а также всех, кто интересуетсяи сторией российской науки.

Рекомендовано к печати Издательским советом Федерального государственного бюджетного учреждениян ауки Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН. Издание приурочено к 90-летию со дняро ждения Б.К. Вайнштейна. Фотографии и документы из архивов института, семьи Б.К. Вайнштейна, М.В. Ковальчука, сотрудников института.

В книге в краткой и доступной для школьников форме изложены основы классической кристаллографии. Материал организован в виде занятий, каждое из которых дополняется контрольными вопросами и упражнениями. В приложениях к пособию приведен дополнительный иллюстративный материал, представлены полезные ссылки на литературу и интернет-ресурсы, разобрана работа кабинета кристаллографии на олимпиаде школьников по геологии в МГУ, а также приведены ответы к упражнениям каждой ступени.

Книга предназначена для школьников, желающих ознакомиться с основами кристаллографии в объеме, достаточном для успешного участия в олимпиадах по геологии, а также для преподавателей геологических кружков

Основные явления и процессы кристаллизации, прежде всего морфология и кинетика роста кристаллов, а также фазовые равновесия, определяются структурным состоянием раствора и его зависимостью от физико-химических параметров системы. Значимость этого фактора неоднократно подчеркивалась в связи с решением задач генетической и экспериментальной минералогии и проблемами синтеза кристаллических материалов. Тем не менее, представления о реальном строении растворов, в особенности с доминирующими ионными и ионно-молекулярными взаимодействиями, в силу ряда объективных причин остаются весьма ограниченными, в отдельных случаях речь идет о ближнем порядке.

В 1982 г. выпущено учебное пособие «Практическое руководство по кристаллографии и кристаллохимии. Методы описания кристаллических многогранников». В настоящем пособии приведены основные методы описания кристаллических структур, включая определение пространственной группы симметрии, правильных систем точек, базиса кристаллической структуры, символов атомных плоскостей и атомных рядов в кристаллических структурах, метод обратной решетки. Описаны кристаллохимические методы представления и расчета кристаллических структур, в том числе эпитаксиальных.

Предназначено для студентов металлургических, химико-технологических, геологоразведочных и политехнических вузов.

Приведены основные методы описания кристаллических многогранников, построения кристаллографических проекций, индицирования плоскостей и направлений в кристаллах. Подробно описаны простые формы кристаллических многогранников и их зоны. Сжато изложенный теоретический материал сопровождается большим числом примеров, типовых задач с их подробным разбором, конкретными практическими рекомендациями, а также упражнениями и контрольными вопросами для лучшего усвоения изучаемого материала. Практическое руководство содержит большое число иллюстраций и снабжено специальными выкройками для изготовления объемных моделей многогранников.

Предназначено для студентов металлургических, химико-технологических, геологоразведочных, политехнических вузов. Может быть полезно научным и инженерно-техническим работникам, а также аспирантам, занимающимся вопросами физики твердого тела

Работа представляет первый опыт создания курса по симметрии кристаллических структур. В книге приводится вывод решеток Бравэ и пространственных групп симметрии, а также намечаются пути использования их при решении общих вопросов кристаллохимии. Интересны разделы, касающиеся законов расположения материальных частиц в кристаллическом веществе, преобразования координатных систем, а также разбора кристаллических структур. Пособие содержит более 200 задач и упражнений, причем для ряда типичных и важных приводятся развернутые решения

В работе изложены разработанные авторами алгоритмы расчета в геометросейсмическом приближении трехмерных полей смещений в слоисто-однородных анизотропных средах. Представлены двухточечные алгоритмы и параметрический метод расчета лучей. На их основе построены алгоритмы расчета теоретических сейсмограмм отраженных и проходящих воля. Алгоритмы подразделяются на две группы: для трансверсально-изотропных сред и для сред остальных систем симметрии; элементы симметрии в анизотропных слоях могут быть ориентированы произвольным образом.

Предусмотрена возможность расчета для случаев неоднозначности волновых поверхностей в слоях. Впервые в сейсмике рассматриваются анизотропные среды с акустической активностью.

Алгоритмы реализованы в виде пакета прикладных программ Анизотроп на языке Фортран-IV для ЭВМ типа ЕС.

Для специалистов в области сейсморазведки, ГСЗ и сейсмологии, а также для кристаллофизиков, изучающих распространение упругих волн в кристаллах